p-n переход

В одном и том же образце полупроводникового материала один участок может обладать p-проводимостью, а другой — n-проводимостью. Между такими областями возникает пограничный слой, через который диффундируют основные носители, стремясь уравнять значения концентрации по обе стороны от слоя. В результате по обе стороны от границы возникает тонкий слой, в котором почти отсутствуют свободные носители заряда. Внешнее напряжение изменяет толщину этого слоя. Если положительный полюс источника напряжения соединен с p-областью, а отрицательный — с n-областью,

p-n переход прямое включение

то большое число основных носителей диффундирует в пограничный слой, где они рекомбинируют. При этом возникает относительно большой прямой электрический ток.

При обратной полярности основные носители покидают пограничный слой.

обратное включение p-n перехода

В рекомбинации участвует лишь небольшое число неосновных носителей и возникает очень слабый обратный ток.

p-n переход работает как выпрямитель, пропуская ток только из p-области в n-область.

вольт амперная характеристика ( вах ) p n перехода

Полупроводниковый прибор с p-n переходом называется диодом. Он служит для выпрямления переменного тока.